这次神光光源设施试运行,技术团队也是向总部第一个递交了申请,杨杰也是同意了下来。
要想研发极紫外光光刻机有几个关键的子系统要解决,首先就是极紫外光的光源,现在小功率的极紫外光光源还没有研发出来,所以很多实验只能先是来这个大型的实验室来做。
现在神光光源设施开始试运行,也是为小型化的极紫外光光源打下了非常坚实的基础。
因为光刻机的光源功率要求在250W,而神光光源的光束能量比这个不知道要高到哪里去了,所以实验的时候功率都是要通过远程的能量调节器调到需要的光源功率才能进行实验。
在光刻胶方面,要实现大规模量产要求光刻胶的照射反应剂量水平必须不高于20兆焦每平方厘米,不过极紫外光的光刻胶的照射剂量普遍需要达到多少每平方厘米的照射剂量才能得到完美图像必须要经过大量的实验才能确定下来,毕竟光刻胶的配方不同。
这中间由于极紫外光的破坏性太大,照射的时候会产生的一些光子随机效应,这中间就包括了光子发射噪声现象,照射光光子数量的变化会影响光刻胶的性能,因此会产生一些成像缺陷。
而且光刻胶不仅具有纯度要求高、工艺复杂等特征,还需要相应光刻机与之配对调试。
一般情况下,一个芯片在制造过程中需要进行10到50道光刻过程,由于基板不同、分辨率要求不同、蚀刻方式不同等,不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也不一样,即使类似的光刻过程,不同的厂商也会有不同的要求。
针对不同应用需求,光刻胶的品种非常多,这些差异主要通过调整光刻胶的配方来实现。
通过调整光刻胶的配方,满足差异化的应用需求,是光刻胶制造商最核心的技术。
半导体材料公司下面的光刻胶技术部门现在差不多有数百名的化学工程师团队,不停地在研制光刻胶的配方,不停地做实验,就是为了满足不同应用需求的光刻胶配方。
可以说黄明超他们研发极紫外光光刻胶的任务那是真的非常繁杂,而牵涉到的部门也是非常多,牵一发动全身,所以华兴集团公司的研发向来都是有不同的技术部门共同参与,并不是单打独斗。
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